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TrendForce:三星跳電事件激勵買方預期性補貨,1Q20 DRAM合約價起漲

Wednesday , 01 / 08 / 2020 [ 分析師: 吳雅婷 ]

  • 標準型、行動式及利基型記憶體第一季價格由「小跌」調整為「持平或小漲」
  • DRAM原廠供給成長有限,買方積極擴大採購量以提高庫存水位

根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查,隨著近一個月來DRAM現貨價格持續走揚,加上2019年12月31號三星華城廠區發生跳電,雖然整體記憶體的供給並沒有因此事件受到重大影響,但觀察到各產品別買方備貨意願進一步增強。因此,TrendForce再次修正2020年第一季DRAM合約價格預測,由原先的「大致持平」調整為「小漲」,價格正式提前翻轉向上。

在標準型記憶體,雖然第一季的價格仍在議定中,但TrendForce預估持平甚至小漲的可能性高。之前在中美貿易關稅的不確定性下,大部分銷往美國的筆電都趕在2019年第四季出貨,導致2020年第一季的出貨較為疲弱。但考量今年DRAM的供給位元成長幅度僅不到13%,加上三星跳電事件的影響,PC OEM廠已做好DRAM即將漲價的可能,當前都以建立更佳的庫存水位為目標,因此在採購上願意接受持平或更高的模組合約價格;若原廠能夠在第一季增加供貨量,買方甚至願意接受更高的價格,以確保安全的庫存水位。

行動式記憶體方面,雖然第一季智慧型手機市場在5G的議題下所有支撐,但因5G晶片初期供應數量有限,加上傳統淡季影響,拉貨動能依舊偏弱,因此TrendForce原先預測行動式記憶體Discrete/eMCP價格將較前一季下跌0-5%。然而自去年12月中開始,除了伺服器記憶體與繪圖用記憶體需求增溫,帶動整體價格走勢提前反轉之外,NAND Flash的供應告急同樣激勵eMCP的價格表現,因此將行動式記憶體的價格預估由「小跌」調整為「大致持平」。

至於利基型記憶體,由於三星華城廠區Line 13的DRAM生產重心主要為20/25nm的利基型記憶體產品,加上受到現貨市場價格上揚的影響最為直接,使得利基型記憶體價格將提早反彈。目前來看,雖然鎖定季度合約價(quarterly lock-in price)的第一線大客戶有機會守住持平,不過原廠的供貨達成率 (fulfillment rate)不到6成,加上採購端截至去年底皆未積極備貨,導致庫存偏低,月合約價可能將開始逐月向上;此外,重複下單(double-booking)的出現亦可能導致原廠的供貨達成率進一步惡化,因此第一季DDR3和DDR4的價格預估將較前一季上漲0-5%。

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