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TrendForce:2017年DRAM整體產值年增76%,估2018年成長率將逾3成

Tuesday , 02 / 13 / 2018 [ 分析師: 吳雅婷 ]

根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,2017年第四季的DRAM產業營收表現再創歷史新高。從價格方面來看,受到行動式記憶體接棒漲價所帶動,以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應,以三星為首的DRAM廠拉抬行動式記憶體報價,帶動行動式記憶體在第四季有5-20%不等的漲幅(取決於不同的容量),而其餘各類DRAM產品合約價亦普遍較前季再上漲約5-10%。2017年第四季DRAM產值較上季再成長14.2%,全年產值成長率達76%。

DRAMeXchange資深研究協理吳雅婷指出,展望2018年第一季,PC-OEM廠已陸續議定合約價格,就一線大廠訂價來看,PC DRAM均價已來到33美元,較上一季平均漲幅約達5%;以北美四大網路服務提供業者為首的資料中心拉貨動能仍強,帶動本季伺服器記憶體價格上漲3-5%。至於智慧型手機第一季買氣較原先預期低迷,加上NAND跌價與中國發改委因素影響,行動式記憶體價格漲幅較先前收斂,平均價格小幅上漲約3%。從整體產值來看,DRAMeXchange預估,2018年DRAM產業產值將成長超過3成,規模達960億美元。

觀察各廠2017第四季營收表現,三星依然穩坐DRAM產業的龍頭,營收達101億美元,較上季成長14.5%,再度創下歷史新高; SK海力士營收衝至63億美元,較前季成長14.1%,兩大韓廠的市占率各為46.0%與28.7%,合計已囊括74.7%的市占率;美光集團仍舊維持第三,營收達46億美元,季增13.4%,市占20.8%。

受到價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益,三星第四季度營業利益率再度改寫歷史新高,由62%上升至64%;SK海力士亦從第三季度的56%再提升至59%;美光則從50%拉升至53%。展望2018年第一季,受惠於DRAM價格持續上漲與製程轉進所帶來的成本效益,三大廠在營收表現上可望再創新猷,各家獲利率也可望進一步提升。

三星開啟新一波擴產計畫,SK海力士2019年開出新產能計畫不變

從技術面來看,三星今年的目標除了持續提升18nm製程的產出比重外,為期近兩年DRAM漲價帶動DRAM供應商的高獲利,以及中國潛在競爭者的加入,也讓三星決定展開新一波的擴產計畫,將原本規劃做NAND Flash的平澤廠二樓空間投入生產DRAM,一方面因應DRAM供給吃緊狀況,另一方面藉由減少未來NAND Flash的投片量,來抑制NAND  Flash的跌價速度,對此,DRAMeXchange指出,此舉對整體記憶體產業屬健康發展,而並非壞事。

此外,SK海力士去年底開始導入18nm的生產,然而,進入1Xnm世代製程難度高、轉換不易,SK海力士目前仍致力於提升其18nm良率;擴廠計畫則維持不變,SK海力士最快要到2019年才會在中國無錫新建的第二座12 吋廠看到產能開出。美光在技術佈局方面,台灣美光記憶體(原瑞晶) 17nm目前產出比重已超過9成,預計今年第二季初將完成轉換,而台灣美光晶圓科技(原華亞科)計畫今年中開始進行20nm往17nm的轉換,預計今年年底將可望有一半產能轉往17nm生產,並於明年上半年全數導入。

台系廠商部分,南亞科第四季營收較前一季大幅成長26.9%,主要歸功於20nm轉換良率超乎預期,以及價格持續走揚帶動。20nm的成本效益拉升營業利益率至38.9%,較前一季成長7個百分點。展望未來,由於該公司20nm良率繼續提升,將會持續改善其成本結構,增加獲利空間。

力晶科技方面,2017年第四季DRAM營收季持平,主要還是替晶豪科、愛普等IC設計業者代工的獲利較佳,力晶本身DRAM產能轉向更高毛利的產品;華邦方面DRAM營收則下滑2.2%,主因為DRAM產能受到NOR Flash產能壓縮所導致。

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