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集邦:減產效應開始發酵,持續至第一季底;DDR2 1Gb現貨價有機會於第一季回到1美元


5 January 2009 半導體

2008年12月23日---DDR2 667Mhz 1Gb價格在10月底跌破現金成本1美元後,仍緩跌至0.6美元,來到廠商的材料成本。DRAM廠在不堪虧損下,減產幅度愈來愈大。根據集邦科技統計,在第四季台灣廠商12吋約當產能已減產近30%,韓系廠商在海力士停掉8吋產能後,十二月再減12吋產能約20%,即使三星未減產,韓系廠商總產能在第四季仍減少16%。明年一月,適逢台灣農曆過年,台系DRAM廠甚至延長休假至2周,第一季產能持續下降。集邦科技預估,減產效應持續發酵,明年一月至三月全球產出持續負成長。但在全球經濟不景氣加上個人電腦第一季銷售下降下,DRAM合約價僅可望落底,上漲動能較弱。而現貨價則在主要供應廠台系廠商大減產能下,上漲動能較大,有機會上探1美元。

Figure 1: Global DRAM Makers Capacity by Fab




上週(12/16-12/22)現貨市場顆粒急攻大漲逾四成 (截稿為止),DDR2 1Gb eTT顆粒價格自0.6美元上漲至0.89美元,漲幅達48.3%,而DDR2 667Mhz 1Gb顆粒亦從0.58美元上漲至0.78美元,漲幅亦達34.5%。

在財務壓力下,台系廠商最早被迫減產,而台系廠商為現貨市場主要供應者,其銷貨至現貨市場比例:力晶為90%,茂德:超過50%(含銷售給金士頓),南科:30%,而國際大廠的現貨銷售比例均僅有5%或更低。明年第一季,在力晶P1、P2、P3的總投片量持續下降下,產出大減,但其供應給合作夥伴爾必達的量維持不變,將使力晶本身的供貨驟減。以力晶十一月產出,約100 M/1Gb約當,扣除給爾必達40M,可銷售顆粒為60M。明年一月在減產效應下,產出預估70M,扣除爾必達的40M,僅有30M。供貨減少一半,且二月、三月供貨量在今年十二月、明年一月的投片量更低下,可銷售顆粒少於30M/1Gb。同時茂德減產幅度更大,南科在十一月亦減產30%(華亞科+自有12吋廠)。台系廠商減產,直接衝擊現貨市場供應。明年第一季,現貨價將扭轉持續低於合約價20%以上的局面,現貨價有機會上漲高於合約價20%-30%。1Gb eTT顆粒供應將大為減少。因此價格有機會上攻至1- 1.2美元。

DRAM十二月下旬的合約價則在電腦系統廠保守看待明年第一季銷售量,DRAM需求量低,合約價再度下跌逾10%,1GB與2GB記憶體模組平均價格落在8美元及16美元左右。DRAM廠表示價格已接近底部,希望明年第一季力守持平,看需求情況是否有機會調漲。

此波DRAM寒流衝擊下,使不輕言減產的DRAM廠,減產幅度甚至高達50%-70%,甚至考量以“接單式生產”,以確保不會生產超過需求。繼韓國、台灣政府,德國政府也正式紓困德國DRAM廠奇夢達,雖外界質疑各國的紓困,不利DRAM產業復甦。但實際上,政府紓困僅能救急,就其紓困金額而言,都僅能供短期營運資金,DRAM廠還是得”減產”以自救。期待全球性減產,能將DRAM的供過於求惡化轉為平衡,使低迷的價格得以回到廠商”現金成本”之上。

集邦科技認為,在DDR2價格未回到“現金成本”1美元,DRAM廠商將在壓力下持續減產。


Figure 2:
DDR2 1Gb (128Mx8) eTT spot price
 



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