新聞中心

集邦:2008年NAND Flash位元成長率達到149% 3Q08仍將呈現供過於求


4 August 2008 半導體

2008722---根據集邦科技(DRAMeXchange),在次貸風暴延燒、通膨隱憂及大陸天災的影響下,閃存(NAND Flash)終端應用需求如手機、音樂播放器(MP3)、記憶卡等產品的傳統淡季效應自第二季中期起更加明顯,使得供過於求缺口也因此更形擴大,從而抵消了海力士(Hynix)4月初宣示將進行NAND Flash減產的激勵效應,因此價格在4月份小幅反彈後,於6月份因季底效應加上需求疲弱,單月再度下跌達20%以上。

由於目前主要的供應商仍尚未變原先設定的2008NAND Flash產出成長目標,因此集邦預估2008年整體NAND Flash供給年成長率將達到149% ,但有鑑於2008下半年NAND Flash相關產品的旺季整體需求可能不如往年的成長幅度,而且可能會遞延到
第三季中期後才會開始逐漸回溫,第三季的NAND Flash仍將呈現供過於求的狀況。

DRAM
現貨價維持疲弱走勢

DDR2 1Gb 667MHz
現貨價在去年年底$1.87落底, 一路反彈至528日到$2.29,漲幅約 22%,儘管之後小幅下滑但在79日仍守在$2.01關卡, 而721日續跌至$1.97

7/15-7/21的現貨價格, 根據集邦科技統計,約下跌1%-2%。顯示市場未有明顯的買氣出現。尤其在中國奧運八月舉辦在即,嚴打走私使七月內陸需求大減。 若八月中國內陸需求回籠,卻又面臨歐洲市場八月需求下降。而且部份主要幾家模組廠,通路商仍保有高於一個月的庫存水位,也使得下半年現市場實際需求難有很好的表現。


上一則
集邦:DRAM供需平衡仍是價格反彈的首要條件
下一則
WitsView:面板價格跌跌不休,零組件廠商首當其衝