媒體聯絡人

Ms. Pinchun Chou

Tel: +886-2-8978-6488 ext.669

Ms. Lindsay Hou

Tel: +886-2-8978-6488 ext.667

RSS 訂閱
  DRAM  
  NAND Flash  
  Storage  
  Display  
  Consumer Electronics  
  LED  
  Green Energy  
  Internet of Things  
  Semiconductors  
  Automotive Electronics  
  Innovative Technological Applications  
       

新聞發佈


TrendForce:第二季伺服器用記憶體合約價續漲,16GB模組均價將邁向130美元大關

Monday , 02 / 20 / 2017 [ 分析師: TrendForce ]

TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示,由於供給吃緊態勢尚未改變,2017年伺服器用記憶體第一季合約價上揚近四成,預估第二季將更進一步上漲約一成水位,其中DDR4 16GB伺服器模組將邁向130美元大關。

DRAMeXchange表示,自2016年第四季起,伺服器用記憶體便在標準型記憶體的供貨吃緊下連帶漲價,且受惠於2016下半年大型標案,整體備貨力道超出預期。展望2017年,由於DRAM原廠對記憶體資本支出趨於保守,產能擴增受限,整體市場供給仍將吃緊,預估2017上半年伺服器用記憶體價格仍會延續漲價走勢。

整體伺服器用記憶體製程邁進20奈米以下,高容量模組加速滲透

從記憶體產出製程來分析,三星今年的重點將會是提高18奈米製程的投片,同時SK海力士與美光陣營也會提高其20/21奈米高容量晶圓顆粒與良率,進而提升整體高容量伺服器模組的滲透率。

此外,目前如華為、浪潮等中國伺服器廠商皆已通過原廠先進製程的驗證,預計在今年第二季大量轉進至20奈米以下之製程,並規劃於今年第四季前達到近六成的20奈米產品規劃,可以預期高容量模組如16GB與32GB的伺服器應用將更多。

DRAMeXchange指出,2017年20奈米將成為伺服器用記憶體主要供應製程,8Gb mono die成為市場主流顆粒,使得16GB與32GB容量的伺服器模組取得更加容易,再加上下半年英特爾與超微新伺服器平台的導入,將迫使如廣達等一線代工廠提升伺服器用記憶體模組的配置,以改善整體效能。然而,單機搭載容量的提升依舊是今年伺服器用記憶體最主要的成長動能。

歡迎至TrendForce集邦科技粉絲團專頁訂閱追蹤,可即時收到媒體中心發布的最新新聞稿消息。 facebookGoogle+

【TrendForce媒體中心版權聲明】
TrendForce集邦科技歡迎您引用集邦科技媒體中心網頁上的新聞稿資料,或轉載至電子媒體平台、社群網路平台及新聞媒體用途使用,只要同意遵守以下規則:

1. 請在文章中附上內容來源出處、或該篇集邦科技新聞稿的連結
2. 請勿任意修改新聞稿之文字原意
3. 請勿附加非集邦科技之網站連結於引用之文字,如網站廣告

若在引用內容中出現資料疏漏或不正確內容,集邦科技可有權提出內容更正之要求,錯誤內容也需配合即時修正。